参数资料
型号: ZXMN3A02N8TA
厂商: Diodes/Zetex
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描述: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
产品目录绘图: SO-8
其它图纸: SO-8 Single Pin Out
标准包装: 500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 26.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V
功率 - 最大: 1.56W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOP
包装: 带卷 (TR)
ZXMN3A02N8
CHARACTERISTICS
ISSUE 4 - JANUARY 2005
5
SEMICONDUCTORS
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PDF描述
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ZXMN3A02X8TA 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN3A02X8TC 功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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