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参数资料
| 型号： | ZXMN3B14FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 30V 3.5A SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 568pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN3B14FDKR |
ZXMN3B14F
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current @ V GS = 4.5V; T A =25°C (b)
@ V GS = 4.5V; T A =70°C (b)
@ V GS = 4.5V; T A =25°C (a)
Pulsed Drain Current (c)
Continuous Source Current (Body Diode) (b)
Pulsed Source Current (Body Diode) (c)
Power Dissipation at T A =25°C (a)
Linear Derating Factor
SYMBOL
V DSS
V GS
I D
I DM
I S
I SM
P D
LIMIT
30
12
3.5
2.9
2.9
16
2.4
16
1
8
UNIT
V
V
A
A
A
A
A
A
W
mW/°C
Power Dissipation at T A =25°C
Linear Derating Factor
(b)
P D
1.5
12
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T j , T stg
-55 to +150
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Junction to Ambient
(a)
R JA
125
°C/W
Junction to Ambient (b)
R JA
83
°C/W
NOTES
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t
5 sec.
(c) Repetitive rating - 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.02, pulse width 300 s - pulse width limited by maximum junction temperature.
ISSUE 2 - JANUARY 2006
SEMICONDUCTORS
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN3F30FHTA | MOSFET N-CHAN 30V SOT23-3 |
| ZXMN3F31DN8TA | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL |
| ZXMN3G32DN8TA | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL |
| ZXMN4A06GTA | MOSFET N-CH 40V 5A SOT223 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN3B14FTC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE |
| ZXMN3F30FGTA | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| ZXMN3F30FH | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN3F30FHTA | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Enhance. Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN3F318DN8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V SO8 Asymmetrical dual N-channel enhancement mode MOSFET |
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