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参数资料
| 型号： | ZXMN6A09DN8TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | SO-8 SO-8 Dual Pin Out |
| 其它图纸： | SO-8 Single Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 8.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1407pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXMN6A09DN8DKR |
ZXMN6A09DN8
60V SO8 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V (BR)DSS
60
R DS(on) ( )
0.040 @ V GS = 10V
0.060 @ V GS = 4.5V
I D (A)
5.6
4.6
Description
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast
switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage
power management applications.
Features
?
Low on-resistance
?
Fast switching speed
D1
D2
?
?
?
Low threshold
Low gate drive
SOIC package
G1
S1
G2
S2
Applications
?
?
?
?
DC-DC converters
Power management functions
Disconnect switches
Motor control
S1
G1
S2
G2
D1
D1
D2
D2
Top view
Ordering information
Device
ZXMN6A09DN8TA
Reel size
(inches)
7
Tape width
(mm)
12
Quantity
per reel
500
Device marking
ZXMN
6A09D
Issue 6 - January 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
1
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMN6A09GTA | MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223 |
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| ZXMN6A25DN8TA | MOSFET 2N-CH 60V 4.6A 8-SOIC |
| ZXMN6A25G | MOSFET N-CHAN 60V SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXMN6A09DN8TC | 功能描述:MOSFET 60V N-Chan RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN6A09DN8TCA | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZXMN6A09G | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| ZXMN6A09G(1) | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述: |
| ZXMN6A09G_07 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
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