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参数资料
| 型号： | ZXMN6A11DN8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 60V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZXMN6A11DN8
60V SO8 Dual N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V (BR)DSS
60
R DS(on) ( )
0.120 @ V GS = 10V
0.180 @ V GS = 4.5V
I D (A)
3.2
2.6
Description
This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique
structure combining the benefits of low on-resistance and fast
switching, making it ideal for high efficiency power management
applications.
Features
?
Low on-resistance
?
Fast switching speed
D1
D2
?
?
?
Low threshold
Low gate drive
Low profile SOIC package
G1
S1
G2
S2
Applications
?
DC-DC converters
?
?
Power management functions
Motor control
S1
G1
D1
D1
Ordering information
S2
D2
Device
ZXMN6A11DN8TA
Reel size
(inches)
7
Tape width
(mm)
12
Quantity
per reel
500
G2
Pin out - top view
D2
Device marking
ZXMN
6A11D
Issue 3 - September 2006
? Zetex Semiconductors plc 2006
1
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| ZXMN6A11G | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-223 |
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