参数资料
| 型号： | 25AA512-I/SM |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 11/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 512KBIT 20MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 90 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIJ |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1450 (CN2011-ZH PDF) |
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25AA512
2.3
Write Enable ( WREN ) and Write
Disable ( WRDI )
?
?
Power-up
WRDI instruction successfully executed
The 25AA512 contains a write enable latch. See
Table 2-4 for the Write-Protect Functionality Matrix.
This latch must be set before any write operation will be
completed internally. The WREN instruction will set the
latch, and the WRDI will reset the latch.
The following is a list of conditions under which the
write enable latch will be reset:
?
?
?
?
?
WRSR instruction successfully executed
WRITE instruction successfully executed
PE instruction successfully executed
SE instruction successfully executed
CE instruction successfully executed
FIGURE 2-4:
WRITE ENABLE SEQUENCE ( WREN )
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
1
0
SO
High-Impedance
FIGURE 2-5:
WRITE DISABLE SEQUENCE ( WRDI )
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
1 0
0
High-Impedance
SO
? 2010 Microchip Technology Inc.
DS22021F-page 11
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| 25AA512T-1/MF | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:512 Kbit SPI Bus Serial EEPROM |
| 25AA512T-1/P | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:512 Kbit SPI Bus Serial EEPROM |
| 25AA512T-1/SN | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:512 Kbit SPI Bus Serial EEPROM |
| 25AA512T-E/MF | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:512 Kbit SPI Bus Serial EEPROM |
| 25AA512T-E/P | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:512 Kbit SPI Bus Serial EEPROM |
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