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参数资料
| 型号： | 2N5551UB1 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-3 |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 280K |
| 代理商： | 2N5551UB1 |
Package mechanical data
2N5551HR
6/10
Doc ID 16935 Rev 3
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5551RLRMG | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5550RLRAG | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5551ZL1 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5550RLRE | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5550RLRM | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5551-X-AB3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2N5551-X-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2N5551-X-T92-K | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2N5551YBU | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5551YIUTA | 功能描述:功率放大器 TO-92 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封装 / 箱体: 工作电源电压:28 V 电源电流:2.5 A 工作温度范围: 封装: |
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