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参数资料
| 型号： | 2N5626 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | METAL CAN-2 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2N5626 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6609G | 16 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6660-2 | 1100 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
| 2N6660-G | 410 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39 |
| 2N6660B-1 | 1100 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
| 2N6660B-2 | 1100 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N5627 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 10A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N5628 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 100V 10A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N5629 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5630 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 16A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 NPN 120V 16A 200W BEC |
| 2N5631 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 16A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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