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参数资料
| 型号： | 2N6514 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | METAL CAN-2 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2N6514 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6470 | 15 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6560 | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5626 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6609G | 16 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6660-2 | 1100 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6515 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6515/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:High Voltage Transistors |
| 2N6515_11 | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:High Voltage Transistor 625mW |
| 2N6515BU | 功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6515RLRM | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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