参数资料
型号: 2N6560
厂商: MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: METAL CAN-2
文件页数: 1/1页
文件大小: 70K
代理商: 2N6560
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PDF描述
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2N6660-2 1100 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD
2N6660-G 410 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39
2N6660B-1 1100 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD
相关代理商/技术参数
参数描述
2N6561 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 10A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6562 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 450V 10A 3PIN TO-61 - Bulk
2N6563 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 10A 3PIN TO-61 - Bulk
2N6564 制造商:BOCA 制造商全称:Boca Semiconductor Corporation 功能描述:SCRs (Silicon Controlled Rectifiers)
2N6565 功能描述:SCR 400V .8A 800uA Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube