参数资料
型号: 2N7002DW-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CHANEL DUAL 60V SOT-363
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 115mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.5 欧姆 @ 50mA,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V
功率 - 最大: 200mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SOT-363
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: 2N7002DWDICT
2N7002DW
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT363
Dim
Min
Max
B C
A
B
C
0.10
1.15
2.00
0.30
1.35
2.20
D
0.65 Typ
H
F
H
0.40
1.80
0.45
2.20
K
M
J
K
L
0
0.90
0.25
0.10
1.00
0.40
J
D
F
L
M
α
0.10 0.22
0° 8°
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.5
1.3
Z
G
C1
X
Y
0.42
0.6
C1
1.9
Y
2N7002DW
Document number: DS30120 Rev. 16 - 2
X
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www.diodes.com
C2
0.65
November 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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2N7002K-7 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
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相关代理商/技术参数
参数描述
2N7002DW-7-F 功能描述:MOSFET 60V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2N7002DW-7-F-79 制造商:DIODES 功能描述:Dual N-Channel Mosfet / SOT-363 (LEADFREE)
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2N7002DW-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:2N7002DW Series 60 V 7.5 Ohms N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
2N7002DWG-AL6-R 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:300m Amps, 60 Volts DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET