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参数资料
| 型号： | 2N7002H6327 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 281K |
| 代理商： | 2N7002H6327 |
2N7002
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
Thermal resistance,
junction - minimal footprint
(2)
R thJA
-
250
K/W
Electrical characteristics, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V (BR)DSS V GS= 0 V, I D=250 A
60
-
V
Gate threshold voltage
V GS(th)
V DS=VGS , I D=250 A
1.5
2.1
2.5
Drain-source leakage current
I D (off)
V DS=60 V,
V GS=0 V, T j=25 °C
-
0.1
A
V DS=60 V,
V GS=0 V, T j=150 °C
--
5
Gate-source leakage current
I GSS
V GS=20 V, V DS=0 V
-
1
10
nA
Drain-source on-state resistance
R DS(on)
V GS=4.5 V, I D=0.25 A
-
2.0
4
V GS=10 V, I D=0.5 A
-
1.6
3
Transconductance
g fs
|V DS|>2|I D|R DS(on)max,
I D=0.24 A
0.2
0.36
-
S
Values
(2) Perfomed on a 40x40mm2 FR4 PCB with both sided Cu sense-force traces, each 1mm wide, 70m thick and 20mm
long.
Rev. 2.3
page 2
2010-08-26
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PDF描述 |
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