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参数资料
| 型号： | 2N7002H6327 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 281K |
| 代理商： | 2N7002H6327 |
2N7002
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C iss
-13
20
pF
Output capacitance
C oss
-
4.1
6
Reverse transfer capacitance
Crss
-
2.0
3
Turn-on delay time
t d(on)
-
3.0
4.5
ns
Rise time
t r
-
3.3
5
Turn-off delay time
t d(off)
-
5.5
9
Fall time
t f
-
3.1
5
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Q gs
-
0.05
0.1
nC
Gate to drain charge
Q gd
-
0.2
0.4
Gate charge total
Q g
-
0.4
0.6
Gate plateau voltage
V plateau
-
4.0
-
V
Reverse Diode
Diode continous forward current
I S
-
0.3
A
Diode pulse current
I S,pulse
-
1.2
Diode forward voltage
V SD
V GS=0 V, I F=0.5 A,
T j=25 °C
-
0.96
1.2
V
Reverse recovery time
t rr
-
8.5
13
ns
Reverse recovery charge
Q rr
-
2.4
4
nC
V R=30 V, I F=0.5 A,
di F/dt =100 A/s
T A=25 °C
Values
V GS=0 V, V DS=25 V,
f =1 MHz
V DD=30 V, V GS=10 V,
I D=0.5 A, R G=6
V DD=48 V, I D=0.5 A,
V GS=0 to 10 V
Rev. 2.3
page 3
2010-08-26
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PDF描述 |
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