参数资料
型号: 2N7002H6327
厂商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封装: GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 6/9页
文件大小: 281K
代理商: 2N7002H6327
2N7002
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R DS(on)=f(T j); I D=0.3 A; V GS=10 V
V GS(th)=f(T j); V DS=VGS; I D=250 A
parameter: I D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz; Tj=25°C
I F=f(V SD)
parameter: T j
typ
98 %
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
-60
-20
20
60
100
140
T j [°C]
R
DS
(on)
[
]
typ
98 %
2 %
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
-60
-20
20
60
100
140
T j [°C]
V
G
S
(th)
[V]
Ciss
Coss
Crss
10
2
10
1
10
0
010
20
30
V DS [V]
C
[pF]
25 °C
150 °C
25 °C, 98%
150 °C, 98%
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V SD [V]
I F
[A]
Rev. 2.3
page 6
2010-08-26
相关PDF资料
PDF描述
2N7002KT3G 320 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002K 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002K 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
2N7002L6327 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002LT1H 75 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
相关代理商/技术参数
参数描述
2N7002H6327XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KAN 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
2N7002H6327XTSA2 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:2N7002H6327XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel
2N7002H-7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):26pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1
2N7002-HF 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:MOSFET
2N7002HTR 制造商:PANJIT INTERNATIONAL INC. 功能描述: