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参数资料
| 型号： | 2N7612M1 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1800 mA, 100 V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-036AB |
| 封装： | HERMETIC SEALED PACKAGE-14 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | 2N7612M1 |
www.irf.com
5
Pre-Irradiation
IRHLG77110, 2N7612M1
Fig 8. Typical Threshold Voltage Vs
Temperature
Fig 7. Typical Drain-to-Source
Breakdown Voltage Vs Temperature
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Temperature ( °C )
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
G
S
(t
h)
G
at
e
th
re
sh
ol
d
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 50A
ID = 250A
ID = 1.0mA
ID = 150mA
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Temperature ( °C )
100
110
120
130
V
(B
R
)D
S
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
B
re
ak
do
w
n
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 1.0mA
Fig 5. Typical On-Resistance Vs
Gate Voltage
Fig 6. Typical On-Resistance Vs
DrainCurrent
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
ID, Drain Current (A)
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
R
D
S
(o
n)
,
D
ra
in
-t
o
-S
ou
rc
e
O
n
R
es
is
ta
nc
e
(
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
Vgs = 4.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
R
D
S
(o
n)
,
D
ra
in
-t
o
-S
ou
rc
e
O
n
R
es
is
ta
nc
e
(
)
ID = 1.8A
TJ = 25°C
TJ = 150°C
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