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参数资料
| 型号： | 2N7612M1 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1800 mA, 100 V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-036AB |
| 封装： | HERMETIC SEALED PACKAGE-14 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | 2N7612M1 |
IRHLG77110, 2N7612M1
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 11. Typical Source-to-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 12. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4 1.6
VSD , Source-to-Drain Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
I S
D
,
R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
VGS = 0V
TJ = 150°C
TJ = 25°C
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
0.5
1
1.5
2
I D
,
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
Fig 10. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
C
,C
ap
ac
ita
nc
e
(p
F
)
VGS = 0V,
f = 1 MHz
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
Fig 9. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
0
4
8
12
16
20
24
QG, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
V
G
S
,G
at
e-
to
-S
ou
rc
e
V
ol
ta
ge
(V
)
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
ID = 1.8A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 17
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