- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33300 > 2N7624U3 22 A, 60 V, 0.072 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N7624U3 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 22 A, 60 V, 0.072 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 203K |
| 代理商： | 2N7624U3 |
IRHLNJ797034, 2N7624U3
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
15
0.1
1
10
100
1000
-VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
-I
D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
20
s PULSE WIDTH
Tj = 150°C
VGS
TOP
-10V
-5.0V
-4.5V
-4.0V
-3.0V
-2.7V
-2.5V
BOTTOM -2.3V
-2.3V
0.1
1
10
100
1000
-VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
-I
D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
20
s PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
TOP
-10V
-5.0V
-4.5V
-4.0V
-3.5V
-3.0V
-2.5V
BOTTOM -2.3V
-2.3V
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
R
D
S
(o
n)
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
O
n
R
es
is
ta
nc
e
(N
or
m
al
iz
ed
)
VGS = -4.5V
ID = -22A
22.5
33.544.5
5
-VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1
10
100
-I
D
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
VDS = -25V
60
s PULSE WIDTH
TJ = 150°C
TJ = 25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N779A | 100 mA, 15 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N834 | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N851 | 200 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-50 |
| 2N869A | 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N869A | 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7632UC | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED60V, Combination 1N-1P-CHANNELLOGIC LEVEL POWER MOSFET |
| 2N7635-GA | 功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N7636-GA | 功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N7637-GA | 功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 7A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N7638 | 制造商:Motorola 功能描述:2N7638 TO92 MOT N9H1C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。