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参数资料
| 型号： | 2N7624U3 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 22 A, 60 V, 0.072 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 203K |
| 代理商： | 2N7624U3 |
IRHLNJ797034, 2N7624U3
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 11. Typical Source-to-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 10. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 9. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 12. Maximum Drain Current Vs.
CaseTemperature
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
400
800
1200
1600
2000
2400
2800
3200
3600
C
,C
ap
ac
ita
nc
e
(p
F
)
VGS = 0V,
f = 1 MHz
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
123456
-VSD , Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
-I
S
D
,R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
VGS = 0V
TJ = 150°C
TJ = 25°C
0
10203040
50607080
QG, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
-V
G
S
,G
at
e-
to
-S
ou
rc
e
V
ol
ta
ge
(V
)
VDS = -48V
VDS = -30V
VDS = -12V
ID = -22A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 17
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
5
10
15
20
25
-I
D
,
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
LIMITED BY PACKAGE
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