参数资料
型号: 2SA1312
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封装: 2-3F1A, S-MINI, SC-59, TO-236MOD, 3 PIN
文件页数: 1/5页
文件大小: 150K
代理商: 2SA1312
2SA1312
2003-03-27
1
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1312
Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications
High voltage: VCEO = 120 V
Excellent hFE linearity: hFE (IC = 0.1 mA)/ hFE (IC = 2 mA)
h= 0.95 (typ.)
High hFE: hFE = 200~700
Low noise: NF (2) = 0.2dB (typ.), 3dB (max) at f = 1 kHz
Complementary to 2SC3324
Small package
Maximum Ratings (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
-120
V
Collector-emitter voltage
VCEO
-120
V
Emitter-base voltage
VEBO
-5
V
Collector current
IC
-100
mA
Base current
IB
-20
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
Marking
Unit: mm
JEDEC
TO-236MOD
JEITA
SC-59
TOSHIBA
2-3F1A
Weight: 0.012 g (typ.)
相关PDF资料
PDF描述
2SA1313-Y 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SA1313 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SA1315 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1315-O 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1316 100 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA1312-BL(TE85L,F 制造商:Toshiba 功能描述:PNP
2SA1312-BL(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:PNP 120V TRANSISTOR. - Tape and Reel
2SA1312-GR(TE85L,F 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape
2SA1312GRTE85LF 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1313-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS PNP 50V 500MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1