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参数资料
| 型号： | 2SA1312 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封装： | 2-3F1A, S-MINI, SC-59, TO-236MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | 2SA1312 |
Data Sheet PU10005EJ01V0DS
3
2SC5741
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, TA = +25
°°°°C)
VCE = 1 V
100
10
1
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.7
0.5
0.6
0.4
0.8
0.9
1.0
Collector
Current
I
C
(mA)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
VCE = 2 V
100
10
1
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.7
0.5
0.6
0.4
0.8
0.9
1.0
Collector
Current
I
C
(mA)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
300
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
Total
Power
Dissipation
P
tot
(mW)
Ambient Temperature TA (C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) )
f = 1 MHz
Reverse
Transfer
Capacitance
C
re
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
468
10
Collector
Current
I
C
(mA)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
60
20
30
40
50
10
0
1
2
345
6
7
IB = 30 A
120 A
150 A
180 A
210 A
240 A
270 A
300 A
60 A
90 A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1313-Y | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1313 | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1315 | 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1315-O | 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1316 | 100 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SA1312-BL(TE85L,F | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
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