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参数资料
| 型号： | 2SA1925 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-8M1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | 2SA1925 |
2SA1925
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
2SA1925
High-Voltage Switching Applications
High breakdown voltage: VCEO = 400 V
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1 V (max)
(IC = 100 mA, IB = 10 mA)
Collector metal (fin) is fully covered with mold resin
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
400
V
Collector-emitter voltage
VCEO
400
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
0.5
Collector current
Pulse
ICP
1
A
Base current
IB
0.25
A
Collector power dissipation
PC
1.3
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 400 V, IE = 0
―
10
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
―
1
A
Collector-emitter breakdown voltage
VCEO
IC = 10 mA, IB = 0
400
―
V
hFE (1)
VCE = 5 V, IC = 20 mA
140
―
450
DC current gain
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 100 mA
140
―
400
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
―
0.4
1.0
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
―
0.76
0.9
V
Transition frequency
fT
VCE = 5 V, IC = 50 mA
―
35
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
18
―
pF
Turn-on time
ton
―
0.2
―
Storage time
tstg
―
2.3
―
Switching time
Fall time
tf
IB1 = 10 mA, IB2 = 20 mA,
duty cycle ≤ 1%
―
0.2
―
s
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-8M1A
Weight: 0.55 g (typ.)
I B1
20 s
VCC = 200 V
Output
2k
IB2
IB1
Part No.
I B2
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