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参数资料
| 型号： | 2SA1925 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-8M1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | 2SA1925 |
2SA1925
2004-07-26
2
Marking
A1925
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Part No. (or abbreviation code)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1939-O | 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1939 | 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1940-R | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1940-O | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1943 | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1925(TP,Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SA1930(LBS2MATQ,M | 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SA1930(ONK,Q,M) | 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SA1930(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi,Bipolar,Transistor,2SA1930(Q),PNP,Power,Low voltage |
| 2SA1930(Q,M) | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 180V 2A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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