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参数资料
| 型号： | 2SA1931 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-10R1A, SC-67, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | 2SA1931 |
2SA1931
2006-11-13
3
Base
emitter
saturation
volt
age
V
BE
(
sa
t)
(V)
Collector current IC (A)
VBE (sat) – IC
Collector
emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Collector
current
I
C
(A)
Collector
current
I
C
(A)
IC – VBE
Base
emitter voltage VBE (V)
DC
current
gain
h
FE
hFE – IC
Collector current IC (A)
Collector
emitter
saturation
volt
age
V
CE
(s
at)
(V)
VCE (sat) – IC
Collector current IC (A)
Collector
current
I
C
(A)
Collector
emitter voltage VCE (V)
Safe operating area
Common emitter
Tc = 25°C
0
IB = 10 mA
2
4
6
8
80
20
10
2
4
6
8
30
40
70
50
60
90
100
Common emitter
VCE = 1 V
0
8
2
4
6
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Tc = 100°C
25
Common emitter
VCE = 1 V
0.03
10
30
100
300
0.1
0.3
1
3
10
Tc = 100°C
25
50
500
Common emitter
IC/IB = 20
0.01
10
0.05
0.5
3
5
0.03
0.1
0.3
1
3
10
Tc = 100°C
25
1
0.3
0.1
0.03
1
0.03
0.1
0.05
0.1
0.3
0.5
3
10
30
100
*: Single non-repetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be de-rated
linearly with increase in
temperature.
IC max (Pulse)*
VCEO max
1 ms*
10 ms*
DC operation
Tc = 25°C
3
10
5
1
0.3
IC max (Continuous)
100 ms*
Common emitter
IC/IB = 20
5
0.1
0.03
0.3
0.5
1
3
0.3
1
3
10
Tc = 100°C
25
0.1
0.5
5
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