- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33324 > 2SA1931 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA1931 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-10R1A, SC-67, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | 2SA1931 |
I
D (A)
I
D (A)
FIGURE 14, DELAY TIMES vs CURRENT
FIGURE 15, RISE AND FALL TIMES vs CURRENT
ID (A)
R
G, GATE RESISTANCE (Ohms)
FIGURE 16, SWITCHING ENERGY vs CURRENT
FIGURE 17, SWITCHING ENERGY VS. GATE RESISTANCE
Eon
Eoff
V
DD = 533V
I
D = 20A
T
J = 125°C
L = 100H
E
ON includes
diode reverse recovery.
Eon
Eoff
V
DD = 533V
R
G = 5
T
J = 125°C
L = 100H
E
ON includes
diode reverse recovery.
APT8043BLL_SLL
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C
,CAPACITANCE
(pF)
1
10
100
800
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
120
140
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
80
50
10
1
16
12
8
4
0
10,000
5,000
1,000
500
100
10
200
100
10
1
TC=+25°C
TJ=+150°C
SINGLE PULSE
OPERATIONHERE
LIMITEDBYRDS(ON)
10mS
1mS
100S
Crss
Ciss
Coss
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE10,MAXIMUMSAFEOPERATINGAREA
FIGURE11, CAPACITANCEvsDRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE
Qg,TOTALGATECHARGE(nC)
V
SD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE12,GATECHARGESvsGATE-TO-SOURCEVOLTAGE
FIGURE13, SOURCE-DRAINDIODEFORWARDVOLTAGE
I
D (A)
I
D (A)
FIGURE 14, DELAY TIMES vs CURRENT
FIGURE 15, RISE AND FALL TIMES vs CURRENT
ID (A)
R
G, GATE RESISTANCE (Ohms)
FIGURE 16, SWITCHING ENERGY vs CURRENT
FIGURE 17, SWITCHING ENERGY VS. GATE RESISTANCE
V
DD = 533V
R
G = 5
T
J = 125°C
L = 100H
tr
tf
SWITCHING
ENERGY
(
J)
t d(on)
and
t
d(off)
(ns)
SWITCHING
ENERGY
(
J)
t rand
t
f
(ns)
5
10
15
20
25
30
35
5
10
15
20
25
30
35
5
1015202530
35
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
td(on)
td(off)
60
50
40
30
20
10
0
1000
800
600
400
200
0
V
DD = 533V
R
G = 5
T
J = 125°C
L = 100H
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1200
1000
800
600
400
200
0
I
D = 20A
VDS=400V
VDS=160V
VDS=640V
TJ=+150°C
TJ=+25°C
050-7056
Rev
C
7-2004
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1934-Y | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1937 | 500 mA, 600 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1939-O | 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1941-R | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1941-O | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1931(NOMARK,A,Q | 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:60MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SA1931(Q) | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 50V 5A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1931,BOSCHQ(J | 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:60MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SA1931,KEHINQ(M | 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:60MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SA1931,NETQ(J | 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:60MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。