参数资料
型号: 2SA1955F-B
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 400 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ESM, 2-2HA1A, 3 PIN
文件页数: 4/5页
文件大小: 140K
代理商: 2SA1955F-B
2SA1955F
2007-11-01
4
0
AMBIENT TEMPERATURE Ta (
°C)
PC – Ta
COLLEC
T
OR
POWER
DISSIP
A
TION
P
c
(
m
W
)
0
25
75
50
125
100
150
100
125
50
75
25
175
相关PDF资料
PDF描述
2SA1964 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5248 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1969 C BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2016 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA2029K3T5G 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA1955FVATPL3Z 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP VESM 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistors Bipolar - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO
2SA1955FVBTPL3Z 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP VESM
2SA19610QAHW 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SA19620TU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
2SA1962-O 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2