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参数资料
| 型号： | 2SA2154MFV-GR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | 2-1L1A, VESM, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | 2SA2154MFV-GR |
2SA2154MFV
2007-11-01
2
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
0.1
μA
Emitter cutoff current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
0.1
μA
DC current gain
hFE (Note)
VCE = 6 V, IC = 2 mA
120
400
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
0.18
0.3
V
Transition frequency
fT
VCE = 10 V, IC = 1 mA
80
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
1.6
pF
Note: hFE classification Y (Y): 120~240, GR (G): 200~400
( ) marking symbol
Marking
PY
Type Name
hFE Classification
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2154MFV | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2174G | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2179 | 13 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA2183 | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2190 | 2 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA2154MFV-GR(TPL3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2154MFV-GR(TPL3) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin VESM T/R 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP VESM |
| 2SA2154MFV-Y | 功能描述:两极晶体管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2154MFV-Y(TPL3) | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2154-Y | 功能描述:两极晶体管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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