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参数资料
| 型号： | 2SB1231P |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 封装： | TO-3PB, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 2SB1231P |
2SB1231 / 2SD1841
No.3260-2/5
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)100V, IE=0A
(--)0.1
mA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)5V, IC=0A
(--)0.1
mA
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)2.5A
50*
140*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)10A
20
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)10A, IB=(--)1A
(--)0.8
V
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)10A, IB=(--)1A
(--)1.5
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)1mA, IE=0A
(--)110
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)5mA, RBE=∞
(--)100
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)1mA, IC=0A
(--)6
V
* : The 2SB1231 / 2SD1841 is classified by 2.5A hFE as follows :
Rank
P
Q
hFE
50 to 100
70 to 140
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7503-003
14.0
15.6
4.8
2.0
20.0
3.5
2.6
1.2
1.3
15.0
3.2
1.4
1.6
1.0
0.6
5.45
12 3
0.6
2.0
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-3PB
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
ITR09393
ITR09394
0
--1
--2
--3
--4
--5
0
--8
--4
--12
--16
--20
--24
--28
IB=0A
2SB1231
02
13
4
5
0
8
4
12
20
24
28
16
IB=0A
2SD1841
--
5.0A
5.0A 3.0A
--3.0A --
2.0A
--1.0A
--0.5A
--0.3A
--0.2A
--0.1A
0.5A
0.3A
0.2A
0.1A
2.0A
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