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参数资料
| 型号： | 2SB1231P |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 封装： | TO-3PB, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 2SB1231P |
2SB1231 / 2SD1841
No.3260-4/5
PS
Forward Bias A S O
PC -- Ta
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
Ambient Temperature, Ta --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
PC -- Tc
Case Temperature, Tc --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
ITR09407
10ms
1ms
DC
operation
100ms
ICP=40A
IC=25A
10
1.0
57
2
3
100
57
22
3
0.1
1.0
2
5
3
5
3
2
5
7
3
10
100
μs
500m
s
200
μs
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0.5
2.0
2.5
3.0
3.5
1.0
1.5
ITR09405
No
heat
sink
2SB1231 / 2SD1841
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
60
80
100
120
140
40
ITR09406
2SB1231 / 2SD1841
--1.0
--0.1
25
5
777
3
--10
25
32
5
3
7
2
3
5
2
--1.0
--0.1
ITR09403
2SB1231
IC / IB=10
1.0
0.1
25
57
7
3
10
25
32
5
3
7
2
3
5
2
1.0
0.1
ITR09404
2SD1841
IC / IB=10
Ta= --40°C
25°C
120°C
Ta= --40°C
25°C
120°C
2SB1231 / 2SD1841
Tc=25
°C
Single Pulse
(For PNP minus sign is omitted.)
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