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参数资料
| 型号： | 2SC5566 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | 2SC5566 |
2SA2013 / 2SC5566
No.6307-2/5
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(24)15
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--105)85 (--180)130
mV
VCE(sat)2
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
(--200)150 (--340)225
mV
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
(--)0.89
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0A
(--50)100
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=(--)100A, RBE=0
(--50)100
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0A
(--)6
V
Turn-On Time
ton
See specified Test Circuit.
(30)35
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(230)300
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(15)20
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
7007-004
2.5
4.0
1.0
1.5
0.5
0.4
3.0
4.5
1.6
0.4
12
3
1.5
Top View
Bottom View
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : PCP
VR10
RB
VCC=25V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
25
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=1A
For PNP, the polarity is reversed.
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
4
3
2
1
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
IB=0mA
10mA
20mA
30mA
40mA
50mA
100mA
60mA
70mA
80mA
90mA
IT00153
--4
--3
--2
--1
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--10mA
--20mA
--60mA
--50mA
--80mA
--90mA
--100mA
IB=0mA
IT00152
--30mA
--40mA
--70mA
2SA2013
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