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参数资料
| 型号： | 2SC5566 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | 2SC5566 |
2SA2013 / 2SC5566
No.6307-4/5
10
1.0
0.01
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
1.0
0.1
10
100
25
37
25
37
25
37
ICP=7A
100ms
10ms1ms
100
s
500
s
IC=4A
DC
operation
IT00168
0
2.0
1.5
1.3
1.0
0.5
20
060
40
80
100
140
120
160
IT00169
2SA2013 / 2SC5566
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
A S O
PC -- Ta
Collector
Dissipation,
P
C
--
W
Ambient Temperature, Ta --
°C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
2SA2013 / 2SC5566
Tc=25
°C
Single pulse
For PNP, the minus sign is omitted.
Mounted
on
a ceramic
board
(250mm
2!
0.8mm)
Cob -- VCB
f T -- IC
Cob -- VCB
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
--
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
--
pF
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
Collector Current, IC -- A
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
10
1.0
0.1
0.01
0.1
1.0
10
Ta= --25°C
75
°C
7
5
3
2
7
5
3
2
23
5 7
2
3
5
7
2
3
5
7
2SC5566
IC / IB=50
IT00163
--10
--1.0
--0.1
--0.01
--0.1
--1.0
--10
Ta= --25°C
25°C
75°C
7
5
3
2
7
5
3
2
23
5 7
2
3
5
7
2
3
5
7
2SA2013
IC / IB=50
IT00162
25°C
7
3
100
10
2
5
1000
7
5
3
2
--0.01
25 7
7
3
--0.1
25
32
5
3
--1.0
--10
57
IT00166
2SA2013
VCE= --10V
7
3
100
10
2
5
1000
7
5
3
2
0.01
25 7
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0.1
25
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3
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5
IT00167
2SC5566
VCE=10V
5
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7
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3
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3
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2
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2
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2SC5566
f=1MHz
5
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5
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7
5
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100
10
--0.1
23
7
5
7
52
3
7
52
3
7
5
--1.0
--10
--100
IT00164
2SA2013
f=1MHz
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