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参数资料
| 型号： | 2SC5593 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CMPAK-4 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | 2SC5593 |
2SK3214
Rev.4.00 May 15, 2006 page 5 of 7
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
0
ID
VDS
IAP
V(BR)DSS
VDD
EAR =
L IAP
2
2
1
VDSS
VDSS – VDD
D.U.T
Rg
IAP
Monitor
VDS
Monitor
VDD
50
Vin
15 V
L
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γs
(t)
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1sh
ot pulse
PDM
PW
T
D =
PW
T
θch – c (t) = γ s (t) θch – c
θch – c = 2.5°C/W, Tc = 25°C
Source to Drain Voltage
VSD (V)
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
10
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
Channel Temperature Tch (°C)
Repetitive
Avalanche
Energy
E
AR
(mJ)
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
IAP = 10 A
VDD = 50 V
duty < 0.1 %
Rg
≥ 50
20
0
4
8
12
16
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Pulse Test
5 V
VGS = 0, –5 V
10 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SC5606-FB-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5606-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 |
| 2SC5606-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5611 | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
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