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参数资料
| 型号： | 2SC5650 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CERAMIC, M23, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 18K |
| 代理商： | 2SC5650 |
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
VCBO
Collector to Base Voltage
V
20
VCEO
Collector to Emitter Voltage
V
10
VEBO
Emitter to Base Voltage
V
1.5
IC
Collector Current
mA
65
PT
Total Power Dissipation
mW
TBD
TJ
Junction Temperature
°C
150
TSTG
Storage Temperature
°C
-65 to +150
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TA = 25°C)
NE681M23
Collector Current, IC (mA)
DC
Current
Gain,
h
FE
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector
Current,
I
C
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Base to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector
Current,
I
C
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR
RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only)
Internet: http://WWW.CEL.COM
02/10/2000
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
Collector Current, IC (mA)
Noise
Figure,
NF
(dB)
NOISE FIGURE/ASSOCIATED GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Gain
Bandwidth
Product,
f
T
(GHz)
GAIN BANDWIDTH PRODUCTvs.
COLLECTOR CURRENT
VCE = 2 V
80
120
100
80
60
40
20
0
20
40
60
VCE = 2 V
1000
100.0
10.0
1.0
0.1
10
100
GA
NF
VCE = 3 V
f = 1 GHz
10
20
16
12
8
4
0
100
10
1
0
2
4
6
8
700
A
350
A
IB = 70
A
012
9
6
3
100
80
60
40
20
0
IB 70
A step
VCE = 3 V
f = 1 GHz
8
100
10
1
0
1
2
3
4
5
6
7
Collector Current, IC (mA)
Associated
Gain,
G
A
(dB)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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