- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33419 > 2SC5801 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5801 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | M13, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | 2SC5801 |
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
2. With device mounted on 1.08 cm2 X 1.0 mm glass epoxy board.
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
VCBO
Collector to Base Voltage
V
9
VCEO
Collector to Emitter Voltage
V
5.5
VEBO
Emitter to Base Voltage
V
1.5
IC
Collector Current
mA
100
PT2
Total Power Dissipation
mW
140
TJ
Junction Temperature
°C
150
TSTG
Storage Temperature
°C
-65 to +150
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TA = 25°C)
Ambient Temperature, TA (
°C)
Total
Power
Dissipation,
P
tot
(mW)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)
Collector to Base Voltage, VCB (V)
Reverse
Transfer
Capacitance,
C
re
(pF)
REVERSE TRANSFR CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm2 1.0mm(t) )
f = 1 MHz
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
12345678
9
NE851M13
VCE = 2 V
100
80
60
40
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
8
6
4
2
0
1
10
100
VCE = 2 V
f = 2 GHz
Base to Emitter Voltage, VBE (V)
Collector
Current,
I
C
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
Gain
Bandwidth
Product,
f
T
(GHz)
Collector Current, IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5808TP | 2500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5808TP-FA | 2500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5819 | 1500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5823 | 1500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5823-TL | 1500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5808-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 2.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 700V 2.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SC5810(TE12L,F) | 功能描述:MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SC581300L | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1.5A MINI-3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5819(TE12L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62 |
| 2SC582 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。