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参数资料
| 型号： | 2SC5801 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | M13, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | 2SC5801 |
NE851M13
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS (TA = 25°C)
j50
j25
j10
0
10
25
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
0
50
100
0
S11
NE851M13
Vc = 1.000 V, Ic = 5.000 mA
0.100 to 4.000GHz by 0.050
S11
S22
NE851M13
Vc = 1.000 V, Ic = 5.000 mA
120
90
60
30
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
0
S12
S21
0.100 to 4.000GHz by 0.050
Note:
1. Gain Calculations:
MAG =
|S21|
|S12|
K - 1
).
2
(K ±
= S11 S22 - S21 S12
When K
≤ 1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG = |S
21
|
|S12|
, K = 1 + | | - |S
11
| - |S22|
2
2 |S12 S21|
,
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
FREQUENCY
S11
S21
S12
S22
K
MAG1
GHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
NE851M13
VC = 1 V, IC = 5 mA
0.10
0.822
- 41.8
13.139
152.4
0.032
67.7
0.899
- 22.3
0.10
26.16
0.20
0.738
- 75.6
10.945
132.0
0.051
50.3
0.737
- 36.9
0.24
23.30
0.30
0.678
- 99.4
8.838
118.5
0.061
40.6
0.613
- 45.2
0.35
21.59
0.40
0.641
-115.8
7.237
109.1
0.066
35.5
0.531
- 50.0
0.46
20.40
0.50
0.581
-130.0
5.907
102.2
0.067
32.4
0.437
- 49.6
0.70
19.46
0.60
0.572
-138.9
5.050
96.9
0.069
31.1
0.397
- 51.9
0.82
18.66
0.70
0.567
-145.8
4.407
92.6
0.070
31.0
0.373
- 53.6
0.93
17.99
0.80
0.564
-151.2
3.902
88.8
0.071
31.4
0.352
- 55.3
1.06
15.98
0.90
0.562
-155.8
3.498
85.5
0.071
32.1
0.337
- 57.0
1.17
14.38
1.00
0.561
-159.5
3.171
82.4
0.072
33.5
0.327
- 59.0
1.29
13.21
1.50
0.563
-172.3
2.154
69.7
0.076
42.8
0.312
- 71.0
1.78
9.38
2.00
0.567
179.6
1.633
59.7
0.086
54.4
0.325
- 84.4
2.05
6.93
2.50
0.573
173.3
1.322
51.2
0.104
64.3
0.359
- 96.9
2.03
5.24
3.00
0.580
166.8
1.111
44.0
0.130
70.9
0.402
-107.5
1.87
3.95
3.50
0.586
160.1
0.960
38.0
0.163
74.0
0.448
-115.7
1.65
2.97
4.00
0.589
153.1
0.847
33.2
0.200
74.5
0.493
-122.6
1.48
2.17
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