参数资料
型号: 2SC5945TR
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS PACKAGE-7
文件页数: 23/36页
文件大小: 297K
代理商: 2SC5945TR
2SC5945
Rev.1.00, Oct.28.2004, page 3 of 35
500
400
300
200
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VCE = 3 V
Base to Emitter Voltage
VBE (V)
Collector
Current
I
C
(mA)
Typical Transfer Characteristics
100
0
1
10
1000
Collector Current
IC (mA)
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
150
200
50
Reverse
T
ransfer
Capacitance
C
re
(pF)
Reverse Transfer Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
0
123
5
1.5
Collector to Base Voltage
VCB (V)
1.0
0.5
20
15
10
0
1
10
100
1000
VCE = 3 V
f = 1 GHz
Collector Current
IC (mA)
T
ransition
Frequency
f
T
(GHz)
Transition Frequency vs.
Collector Current
5
100
VCE = 3 V
IE = 0
f = 1 MHz
4
0
5
10
15
20
25
Collector Current
IC (mA)
Maximum
Stable
Gain
MSG
(dB)
Maximum
Available
Gain
MAG
(dB)
Maximum Available Gain, Maximum Stable Gain
vs. Collector Current
30
1
10
100
1000
f = 0.5 GHz
1.0 GHz
1.8 GHz
2.4 GHz
VCE = 3 V
MAG
MSG
20
0
0.1
1
10
Frequency f (GHz)
30
40
10
VCE = 3 V
IC = 100 mA
S21 Parameter, Maximum Available Gain,
Maximum Stable Gain vs. Frequency
Gain
G
(dB)
MSG
|S21|2
MAG
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