收藏本站
参数资料
型号： 2SC5945TR
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS PACKAGE-7
文件页数： 28/36页
文件大小： 297K
代理商： 2SC5945TR
2SC5945
Rev.1.00, Oct.28.2004, page 34 of 35
S parameter
(VCE = 3.6 V, IC = 250 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
400
0.749
-169.0
10.38
88.4
0.037
34.8
0.508
-149.8
500
0.753
-174.3
8.24
84.2
0.040
37.6
0.507
-155.7
600
0.757
-178.4
6.79
80.9
0.043
39.3
0.509
-159.9
700
0.759
178.1
5.76
78.1
0.046
41.2
0.511
-163.1
800
0.761
175.0
4.99
75.6
0.049
42.9
0.513
-165.8
900
0.762
172.3
4.39
73.4
0.052
44.1
0.515
-168.0
1000
0.763
169.7
3.92
71.5
0.056
45.2
0.518
-169.8
1100
0.765
167.5
3.54
69.7
0.060
46.2
0.519
-171.4
1200
0.766
165.4
3.23
67.8
0.063
46.8
0.521
-172.9
1300
0.766
163.3
2.97
66.0
0.067
47.0
0.523
-174.1
1400
0.766
161.2
2.75
64.3
0.070
47.5
0.525
-175.2
1500
0.766
159.1
2.56
62.6
0.074
47.8
0.526
-176.2
1600
0.768
157.3
2.39
61.0
0.078
48.0
0.527
-177.1
1700
0.772
155.6
2.25
59.4
0.081
47.9
0.529
-177.9
1800
0.772
154.0
2.12
57.8
0.085
47.8
0.530
-178.8
1900
0.771
152.3
2.00
56.2
0.088
47.6
0.531
-179.5
2000
0.769
150.6
1.90
54.6
0.092
47.4
0.531
179.9
2100
0.770
148.9
1.82
53.0
0.096
47.1
0.532
179.3
2200
0.771
147.2
1.73
51.4
0.100
46.6
0.533
178.7
2300
0.774
145.7
1.66
50.0
0.103
46.4
0.534
178.1
2400
0.775
144.3
1.59
48.6
0.107
45.9
0.534
177.5
2500
0.775
142.9
1.53
47.1
0.110
45.4
0.534
177.0
2600
0.773
141.3
1.47
45.5
0.114
44.7
0.535
176.4
2700
0.772
139.7
1.42
43.9
0.118
44.3
0.535
175.9
2800
0.772
138.1
1.37
42.3
0.121
43.7
0.535
175.4
2900
0.774
136.7
1.33
41.0
0.125
43.1
0.535
174.8
3000
0.775
135.3
1.29
39.5
0.129
42.3
0.535
174.3
相关PDF资料
PDF描述
2SC5975 HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5998YC UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5998YC UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6026MFV-GR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6026MFV-Y 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC594600L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5946G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5948-O(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-O(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*