收藏本站
参数资料
型号： 2SC5945TR
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS PACKAGE-7
文件页数： 27/36页
文件大小： 297K
代理商： 2SC5945TR
2SC5945
Rev.1.00, Oct.28.2004, page 33 of 35
S parameter
(VCE = 3.6 V, IC = 200 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
400
0.776
176.4
11.40
84.6
0.025
67.7
0.594
-168.5
500
0.777
173.9
8.99
81.8
0.030
67.8
0.599
-171.5
600
0.780
171.6
7.40
79.5
0.035
68.3
0.603
-173.7
700
0.780
169.4
6.28
77.5
0.040
68.2
0.606
-175.6
800
0.780
167.2
5.45
75.7
0.045
67.8
0.608
-177.3
900
0.780
165.2
4.81
74.1
0.050
67.1
0.610
-178.7
1000
0.780
163.3
4.30
72.6
0.055
66.6
0.612
-180.0
1100
0.781
161.5
3.89
71.1
0.060
66.4
0.613
178.9
1200
0.781
159.8
3.55
69.6
0.065
65.6
0.614
177.9
1300
0.780
158.0
3.27
68.1
0.070
64.6
0.615
177.0
1400
0.779
156.2
3.04
66.6
0.074
63.9
0.616
176.1
1500
0.779
154.4
2.83
65.1
0.079
63.1
0.616
175.2
1600
0.780
152.7
2.65
63.8
0.084
62.3
0.617
174.6
1700
0.782
151.2
2.50
62.4
0.089
61.2
0.619
173.8
1800
0.781
149.8
2.36
61.0
0.093
60.4
0.618
173.0
1900
0.780
148.3
2.23
59.5
0.097
59.5
0.618
172.4
2000
0.777
146.7
2.12
58.1
0.102
58.5
0.617
171.8
2100
0.778
145.0
2.03
56.6
0.107
57.5
0.617
171.2
2200
0.778
143.5
1.94
55.2
0.111
56.6
0.617
170.5
2300
0.780
142.0
1.86
53.9
0.115
55.7
0.617
169.9
2400
0.780
140.7
1.79
52.6
0.120
54.6
0.616
169.3
2500
0.780
139.4
1.72
51.2
0.124
53.6
0.615
168.8
2600
0.777
137.9
1.66
49.7
0.128
52.6
0.615
168.1
2700
0.776
136.3
1.60
48.2
0.133
51.5
0.614
167.5
2800
0.775
134.8
1.55
46.8
0.137
50.6
0.613
166.9
2900
0.776
133.4
1.50
45.5
0.142
49.5
0.612
166.3
3000
0.777
132.1
1.46
44.2
0.146
48.4
0.611
165.6
相关PDF资料
PDF描述
2SC5975 HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5998YC UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5998YC UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6026MFV-GR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6026MFV-Y 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC594600L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5946G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5948-O(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-O(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*