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参数资料
型号： 2SC5945TR
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS PACKAGE-7
文件页数： 24/36页
文件大小： 297K
代理商： 2SC5945TR
2SC5945
Rev.1.00, Oct.28.2004, page 30 of 35
S parameter
(VCE = 3.6 V, IC = 70 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
400
0.762
-179.4
11.46
85.5
0.027
53.7
0.565
-163.5
500
0.765
177.3
9.05
82.3
0.031
56.9
0.568
-167.3
600
0.767
174.5
7.44
79.6
0.036
58.5
0.573
-170.0
700
0.768
171.9
6.31
77.4
0.041
59.5
0.576
-172.2
800
0.769
169.5
5.47
75.4
0.045
59.9
0.578
-174.2
900
0.769
167.2
4.81
73.5
0.050
60.2
0.581
-175.8
1000
0.770
165.2
4.30
71.9
0.055
60.3
0.583
-177.2
1100
0.771
163.3
3.88
70.3
0.059
60.4
0.585
-178.4
1200
0.771
161.4
3.54
68.8
0.064
60.3
0.587
-179.6
1300
0.770
159.6
3.26
67.2
0.068
59.5
0.588
179.4
1400
0.770
157.7
3.02
65.6
0.072
59.2
0.589
178.4
1500
0.770
155.8
2.81
64.1
0.077
58.7
0.590
177.5
1600
0.771
154.1
2.63
62.8
0.082
58.3
0.590
176.8
1700
0.773
152.5
2.48
61.3
0.086
57.4
0.592
176.0
1800
0.773
151.0
2.33
59.9
0.090
56.6
0.592
175.2
1900
0.772
149.5
2.21
58.4
0.094
56.1
0.592
174.5
2000
0.769
147.8
2.10
56.9
0.099
55.2
0.592
174.0
2100
0.770
146.2
2.01
55.4
0.103
54.5
0.592
173.3
2200
0.770
144.6
1.92
54.0
0.107
53.6
0.592
172.7
2300
0.772
143.1
1.84
52.7
0.111
52.9
0.592
172.1
2400
0.773
141.8
1.76
51.4
0.116
52.0
0.591
171.5
2500
0.773
140.5
1.70
50.0
0.120
51.1
0.591
170.9
2600
0.770
138.9
1.63
48.5
0.124
50.1
0.590
170.3
2700
0.769
137.4
1.58
47.0
0.128
49.3
0.590
169.7
2800
0.768
135.8
1.53
45.5
0.132
48.4
0.589
169.1
2900
0.769
134.4
1.48
44.2
0.136
47.4
0.588
168.5
3000
0.770
133.1
1.44
42.8
0.140
46.4
0.588
167.9
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