参数资料
型号: 2SC6023
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: MCP4, 4 PIN
文件页数: 2/15页
文件大小: 58K
代理商: 2SC6023
2SC6023
No.8143-10/15
S Parameters (Common emitter)
VCE=3V, IC=5mA, ZO=50
Freq(MHz)
S11
∠S
11
S21
∠S
21
S12
∠S
12
S22
∠S
22
200
0.902
--16.9
9.926
160.8
0.020
84.3
0.965
--16.2
400
0.841
--36.5
10.048
143.1
0.040
78.0
0.911
--32.1
600
0.779
--53.1
8.776
130.8
0.058
68.7
0.823
--46.8
800
0.688
--69.7
7.912
118.3
0.072
60.7
0.736
--58.5
1000
0.591
--88.5
7.495
107.1
0.082
55.3
0.656
--67.8
1200
0.515
--103.8
6.736
98.0
0.089
51.8
0.594
--75.5
1400
0.470
--115.0
5.914
91.4
0.095
48.9
0.546
--82.0
1600
0.422
--128.6
5.391
84.6
0.100
47.7
0.507
--87.6
1800
0.394
--139.8
4.875
79.0
0.106
46.4
0.479
--92.8
2000
0.374
--150.1
4.434
73.9
0.111
45.5
0.458
--97.3
2200
0.361
--159.3
4.051
69.4
0.116
45.0
0.441
--101.6
2400
0.352
--168.9
3.750
64.9
0.122
44.4
0.428
--105.6
2600
0.346
--176.7
3.466
60.8
0.127
44.4
0.419
--109.2
2800
0.345
175.8
3.226
57.0
0.132
44.0
0.413
--112.5
3000
0.345
168.8
3.024
53.3
0.138
43.8
0.411
--115.8
3200
0.350
162.3
2.843
49.6
0.144
43.5
0.412
--119.0
3400
0.356
156.3
2.688
46.1
0.151
43.2
0.413
--122.2
3600
0.364
150.5
2.548
42.6
0.158
42.7
0.416
--125.4
3800
0.372
145.2
2.417
39.2
0.164
42.1
0.419
--128.4
4000
0.381
140.3
2.300
35.8
0.171
41.6
0.424
--131.4
4200
0.389
135.5
2.193
32.6
0.178
40.8
0.429
--134.3
4400
0.398
131.0
2.095
29.3
0.185
40.0
0.435
--137.2
4600
0.408
126.9
2.004
26.2
0.192
39.2
0.441
--140.0
4800
0.417
122.7
1.920
23.1
0.199
38.2
0.449
--142.8
5000
0.427
119.0
1.842
20.1
0.206
37.1
0.456
--145.3
5200
0.437
115.3
1.768
17.2
0.214
36.2
0.463
--148.1
5400
0.445
111.7
1.700
14.3
0.221
35.2
0.470
--150.7
5600
0.454
108.4
1.636
11.5
0.228
34.0
0.476
--153.2
5800
0.462
105.0
1.577
8.8
0.236
33.1
0.484
--155.5
6000
0.470
101.9
1.524
6.2
0.244
31.9
0.492
--157.8
相关PDF资料
PDF描述
2SC6026MFV-Y 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6045G 80 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6071-TL 10000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6075 2.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC6080 13 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC6023-TR-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 35MA MCP4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
2SC6024 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:UHF to C Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications
2SC6024-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 35MA 3SSFP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
2SC6025 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to C Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications
2SC6026 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) General-Purpose Amplifier Applications