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参数资料
| 型号： | 2SD2670TL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 2SD2670TL |
2SD2670
Transistors
Rev.C
1/2
Low frequency amplifier
2SD2670
Application
Low frequency amplifier
Driver
Features
1) A collector current is large.
2) VCE(sat) : max.250mV
At lc=1.5A / lB=30mA
External dimensions (Unit : mm)
Each lead has same dimensions
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
TSMT3
0~0.1
0.16
0.85
1.0MAX
0.7
0.3
~
0.6
(2)
(1)
(3)
2.9
2.8
1.9
1.6
0.95
0.4
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Single pulse, Pw
=1ms
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
15
12
6
3
500
150
55 to +150
6
1
Unit
V
A
mW
1W
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power siddipation
Junction temperature
Range of storage temperature
2
1
Mounted on a 25
×25× 0.8mm Ceramic substrate
2
t
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
Transition frequency
fT
360
MHz
VCE
=2V, IE=500mA, f=100MHz
BVCBO
15
V
IC
=10A
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO
12
V
IC
=1mA
Collector-base breakdown voltage
BVEBO
6
V
IE
=10A
Emitter-base breakdown voltage
ICBO
100
nA
VCB
=15V
Collector cutoff current
IEBO
100
nA
VEB
=6V
Emitter cutoff current
VCE(sat)
120
250
mV
IC
=1.5A, IB=30mA
Collector-emitter saturation voltage
hFE
270
680
VCE
=2V, IC=500mA
DC current gain
Cob
30
pF
Collector output capacitance
Pulse
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2678T100 | 3000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2691AR | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2691A | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2700TL | 2000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SJ0364O | 20 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2671TL | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2672TL | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2673TL | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2674TL | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2675TL | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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