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参数资料
| 型号： | 2SD2670TL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 2SD2670TL |
2SD2670
Transistors
Rev.C
2/2
Packaging specifications
package
Code
Taping
Basic ordering unit (pieces)
2SD2670
TL
3000
Type
Electrical characteristic curves
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Fig.1 DC current gain
vs. collector current
VCE=
2V
Pulsed
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=40 C
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR
TO
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
IC/IB=20/1
VCE=2V
Pulsed
Ta=25 C
Ta=
45 C
Ta=100 C
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
BASE
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE(sat)
(V)
Fig.3 Base-emitter saturation voltage
vs.collector current
Ta=25 C
Pulsed
IC/IB=20/1
IC/IB=50/1
IC/IB=10/1
0.1
1
10
0.001
0.01
BASE TO EMITTER CURRENT : VBE (V)
COLLECTOR
CURRENT
:I
C
(A)
0.1
1
10
Fig.4 Grounded emitter propagation
characteristics
IC/IB=20/1
Pulsed
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=
45 C
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
EMITTER CURRENT : IE (A)
TRANSITION
FREQUENCY
:
fT
(MHz)
Ta=25 C
VCE=
2V
f= 100MHz
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB(V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB(V)
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
Cob
(pF)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
Cib
(pF)
Fig.6 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
IC=0A
f=1MHz
Ta=25 C
Cib
Cob
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SD2673TL | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2674TL | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2675TL | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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