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参数资料
| 型号： | 2SJ649-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 48 毫欧 @ 10A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 隔离的标片 |
| 包装： | 散装 |
2SJ649
– 80
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
– 100
– 60
V GS = –10 V
– 10
– 40
–4.5 V
–4.0 V
– 1
T A = ? 55?C
25?C
75?C
125?C
– 20
– 0.1
0
0
– 1
– 2
– 3
– 4
Pulsed
– 5
– 0.01
– 1
– 2
– 3
V DS = – 10 V
Pulsed
– 4 – 5
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
– 4.0
– 3.0
V DS = – 10 V
I D = – 1 mA
100
10
T A = 125? C
– 2.0
– 1.0
1
0.1
75 ? C
25 ? C
? 55 ? C
V DS = – 10 V
0
– 50
0
50
100
150
0.01
– 0.01
– 0.1
– 1
Pulsed
– 10
– 100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
120
100
Pulsed
80
70
60
80
V GS = –4.0 V
50
60
40
– 4.5 V
– 10 V
40
30
I D = ? 10 A
20
20
10
Pulsed
0
– 0.1
– 1
– 10
– 100
0
0
-2
-4
-6
-8
- 10 - 12 - 14 - 16 - 18 - 20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D16332EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SJ651 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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| 2SJ652 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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