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参数资料
| 型号： | 2SJ649-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 48 毫欧 @ 10A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 隔离的标片 |
| 包装： | 散装 |
2SJ649
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
90
80
70
10000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C iss
60
50
40
V GS = ? 4.0 V
? 10 V
1000
C oss
30
20
10
Pulsed
100
10
C rss
0
– 0.1
– 1
– 10
– 100
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
V DS - Drain to Source Voltage - V
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
V DD = – 30 V
V GS = – 10 V
R G = 0 ?
- 50
- 45
- 40
V GS
- 10
-8
100
t d(off)
- 35
- 30
V DD = ? 48 V
? 30 V
? 12 V
-6
t f
- 25
10
t r
t d(on)
- 20
- 15
-4
- 10
-5
V DS
I D = ? 20 A
Pulsed
-2
1
– 0.1
– 1
– 10
– 100
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
– 100
Pulsed
1000
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
V GS = –10 V
– 10
– 1
– 4.0 V
0V
100
10
– 0.1
– 0.01
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
1
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D16332EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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