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参数资料
| 型号： | 2SJ687-ZK-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -20V -20A TO-252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 10A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 57nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 2SJ687-ZK-E1-AYDKR |
2SJ687
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
120
100
80
60
40
20
0
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
40
35
30
25
20
15
10
5
0
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
-1000
T ch - Channel Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
-100
I D(pulse)
I D(DC)
it e
-10
-1
R DS(on) Limited
(V GS = ? 4.5 V)
Po
w
er
D
is
si
p
at
io
n
Li
m
d
PW = 1 ms
10 ms
T C = 25 ° C
Single Pulse
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
R th(ch-A) = 125 ° C/W i
100
10
1
R th(ch-C) = 3.47 ° C/W i
0.1
Single Pulse
0.01
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D18719EJ2V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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