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参数资料
| 型号： | 2SJ687-ZK-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -20V -20A TO-252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 10A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 57nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 2SJ687-ZK-E1-AYDKR |
2SJ687
-100
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
120
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
V DD = ? 10 V
100
R G = 25 Ω
I AS = ? 20 A
80
V GS = ? 12 → 0 V
I AS ≤ ? 20 A
-10
-1
Starting T ch = 25 ° C
V DD = ? 10 V
R G = 25 Ω
V GS = ? 12 → 0 V
E AS = 40 mJ
60
40
20
0
0.01
0.1
1
10
25
50
75
100
125
150
6
L - Inductive Load - mH
Data Sheet D18719EJ2V0DS
Starting T ch - Starting Channel Temperature - ° C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2094TL | MOSFET N-CH 60V 2A DPAK |
| 2SK3018T106 | MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 |
| 2SK3019TL | MOSFET N-CH 30V .1A SOT416 |
| 2SK3479-Z-E2-AZ | MOSFET 100V N-CH TO-263 |
| 2SK3480-AZ | MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ687-ZK-E2-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ73 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | DUAL | 5MA I(DSS) |
| 2SJ74 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:P CHANNEL JUNCTION TYPE (LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SJ74_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Low Noise Audio Amplifier Applications |
| 2SJ74BL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 6MA I(DSS) | TO-92 |
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