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参数资料
| 型号： | 2SK2247 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N沟道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N沟道场效应晶体管（不适用沟道MOSFET的） |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2SK2247 |
2SK2247
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
I
DR
Pch*
30
V
Gate to source voltage
±
20
2
V
Drain current
A
Drain peak current
1
4
A
Body to drain diode reverse drain current
2
A
Channel dissipation
2
1
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes 1. PW
≤
100
μ
s, duty cycle
≤
10 %
2. When using the alumina ceramic board (12.5
×
20
×
0.7mm)
3. Marking is “QY”
Tstg
–55 to +150
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