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参数资料
| 型号： | 2SK2247 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N沟道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N沟道场效应晶体管（不适用沟道MOSFET的） |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2SK2247 |
2SK2247
4
1.6
1.2
0.8
0.4
0
C
(
50
100
150
200
Ambient Temperature Ta (°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1ms
PW=10m 1ho)
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
Ta = 25 °C
DCOpeaion
5
4
3
2
1
0
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
1
2
3
4
5
3 V
3.5 V
Ta = 25 °C
Pulse Test
V = 2.5 V
4 V
5.5 V
4.5 V
5 V
5
4
3
2
1
0
Gate to Source Voltage V (V)
GS
D
D
Typical Transfer Characteristics
V = 10 V
Pulse Test
1
2
3
4
5
Ta = –25 °C
75 °C
25 °C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SK2248-01S | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:N-channel MOS-FET |
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| 2SK2249-01 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
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