- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30621 > 2SK3756 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK3756 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | LEAD FREE, 2-5K1D, SC-62, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | 2SK3756 |
2SK3756
2007-11-01
3
Po, Gp, ηD -Pi
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
INPUT POWER Pi(dBmW)
OU
T
P
U
T
POW
E
R
Po
(d
Bm
W
)
PO
W
E
R
G
A
IN
G
p(dB
)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
DRA
IN
E
F
FICIE
NCY
ηD(
%
)
Po (dBmW)
Gp (dB)
hD (%)
f =470MHz
Iidle=200mA
Vdd=4.5V
Gp, ηD -Iidle
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
50
100
150
200
250
300
GATE IDLE CURRENT Iidle(mA)
POW
E
R
GAI
N
Gp(d
B
)
60
64
68
72
76
80
DRA
IN
E
F
ICI
E
NCY
ηD(
%
)
Gp (dB)
hD (%)
f =470MHz
Pi=20dBmW
Vdd=4.5V
Po-Pi
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
INPUT POWER Pi(dBmW)
OU
T
P
U
T
POW
E
R
Po
(d
Bm
W
)
Iidle=50mA
Iidle=200mA
f =470MHz
Vdd=4.5V
Pi-Idd
0
100
200
300
400
500
600
700
0
5
10
15
20
25
INPUT POWER Pi(dBmW)
DRA
IN
CUR
RE
NT
Id
d(
m
A
)
Iidle=50mA
Iidle=200mA
f =470MHz
Vdd=4.5V
Gp, ηD -Vdd
10
11
12
13
14
15
16
17
18
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
DRAIN VOLTAGE Vdd(V)
P
OW
E
R
GA
IN
Gp(dB)
60
70
80
DRA
IN
E
F
FICIE
NCY
ηD(
%
)
Gp
hD (%)
f =470MHz
Iidle=200mA
Pi=20dBmW
Po-Pi
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
INPUT POWER Pi(dBmW)
OU
T
P
U
T
POW
E
R
Po
(d
Bm
W
)
Vdd=3.6V
Vdd=4.5V
Vdd=6.0V
f =470MHz
Iidle=200mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3770-01MR | 26 A, 120 V, 0.078 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3811-ZP | 110 A, 40 V, 0.0018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 2SK3813-Z | 60 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK3813 | 60 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 2SK3822 | 52 A, 100 V, 0.032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3756(TE12L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFER N-ch 7.5V 1A 470MHz PW-Mini |
| 2SK3757(Q) | 功能描述:MOSFET PW MOSFET N-Ch 450V 2A 2.45 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2SK3758 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N 500V TO-220AB |
| 2SK3758(M) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 5A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB |
| 2SK3758(Q,M) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 500V 5A Rdson Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。