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参数资料
| 型号： | 2SK3784-01 |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2.4 A, 800 V, 6.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | 2SK3784-01 |
2
Characteristics
2SK3784-01
FUJI POWER MOSFET
0
255075
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
PD
[W
]
Tc [
°C]
0
4
8
121620
242832
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
20V
10V
8V
6.5V
6.0V
ID
[A
]
VDS [V]
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80
s pulse test,Tch=25°C
VGS=5.5V
0
123
456
78
9
10
0.01
0.1
1
ID[
A
]
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80
s pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
gf
s
[
S
]
ID [A]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80
s pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
RD
S
(on
)[
]
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80
s pulse test,Tch=25°C
10V
20V
8V
6.5V
6.0V
VGS=5.5V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
RDS
(o
n)
[
]
Tch [
°C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=1.2A,VGS=10V
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