- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33503 > 2SK3784-01 (FUJI ELECTRIC CO LTD) 2.4 A, 800 V, 6.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK3784-01 |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 2.4 A, 800 V, 6.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | 2SK3784-01 |
3
2SK3784-01
FUJI POWER MOSFET
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
max.
min.
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250uA
VG
S(
th
)[
V
]
Tch [
°C]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
Qg [nC]
Typical Gate Charge Characteristics
VGS=f(Qg):ID=2.4A,Tch=25
°C
VG
S
[V
]
640V
400V
Vcc= 160V
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
C
[p
F
]
VDS [V]
Typical Capacitance
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0.0
0.5
1.0
1.5
0.1
1
10
IF
[A
]
VSD [V]
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
IF=f(VSD):80
s pulse test,Tch=25°C
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
10
3
Typical Switching Characteristics vs. ID
t=f(ID):Vcc=600V,VGS=10V,RG=10
td(on)
tr
tf
td(off)
t[n
s
]
ID [A]
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
I
AS
=1.0A
I
AS
=1.5A
I
AS
=2.4A
EA
V
[
m
J
]
starting Tch [
°C]
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=80V,I(AV)<=2.4A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3794-Z | 20000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK3796-4 | 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK3796 | 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK3796-4 | 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK3798 | 4 A, 900 V, 3.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK3788-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 21 Milliohms;ID 92A;TO-247;PD 410W;VGS +/-3 |
| 2SK3789-01RSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3793 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3793-AZ | 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK3796-2-TL-E | 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。