型号: | 2SK3787-01MR |
厂商: | FUJI ELECTRIC CO LTD |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 4.2 A, 800 V, 3.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | TO-220AB, 3 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 117K |
代理商: | 2SK3787-01MR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SK3797 | 13 A, 600 V, 0.43 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK3811-ZP | 110 A, 40 V, 0.0018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
2SK3812-ZP | 110 A, 60 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
2SK3812-ZP | 110 A, 60 V, 0.0037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
2SK3814 | 60 A, 60 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SK3788-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 21 Milliohms;ID 92A;TO-247;PD 410W;VGS +/-3 |
2SK3789-01RSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
2SK3793 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SK3793-AZ | 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK3796-2-TL-E | 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |